百億市（shì）場國產化（huà）提速，電子大宗&電子 特氣並進前行（háng）

電子氣體整體200億市場，電子大宗與電（diàn）子特氣分別占55%/45%

2024年國內電子氣體市場200億元左右，電子大宗與（yǔ）電子特氣分別整體 占比55%/45%。廣（guǎng）義上的電子氣體是指具有電子級純度的特種氣體，主要 分為電（diàn）子大宗氣體及電子特氣，廣泛應用（yòng）在包括（kuò）集成電路、顯示麵板、 半導體照明和光伏等泛半導體行業。

電子大（dà）宗與電子特氣在下遊客戶、整體（tǐ）空間上較為接近，而在供氣品種（zhǒng） /商業模式/競爭要點/競爭（zhēng）格局方麵存在差異。供氣品種上，電子大宗主 要有6種，電子（zǐ）特（tè）氣數百種以上；商業模式上，電子大宗本質為運營模（mó） 式，電子特氣本質為產品生意；競爭要點上，電子大宗需要極高的可（kě）靠 性及穩定性，電子特氣注重產品、認證和價格三要（yào）素；競爭格局上，電 子大宗門檻（kǎn）高玩家少，電子特氣國產玩家新（xīn）進入者多，國產替代迅速（sù）。

供氣品種（zhǒng）：電（diàn）子大宗品種少，但貫穿全環節

電子大宗供應（yīng）品種少（shǎo），穩定性（xìng）保（bǎo）供性要求高。電子大宗氣體主要是指氮氣、氦氣、氧氣（qì）、氫氣、氬氣、二氧化碳這六 大氣體品種，電子大宗氣體作為環境氣、保護氣、清潔氣和運載氣等，貫穿半導體生產製程的全環（huán）節。

商業模式：電子大宗（zōng）以現場製氣為主，本（běn）質是運營模（mó）式

電子大（dà）宗以現場製氣為主。氣體公司需要提前在客（kè）戶工廠或臨近（jìn）場地投資建設供氣係統，前期投資額較大，合同期長 （通常長達10-20年）。電子大宗的收費中（zhōng）包含“固定收費”和“變動氣費”兩部分，其（qí）中單個（gè）項目的固定收費現值可 基本覆蓋前期投資成本；變動氣費則根據類“成本（běn）加成法”定價原則，單方氣體賺取“穩定（dìng）的（de）毛利”，因此電子（zǐ）大宗具 備“穩盈利”的保障，本質是運營模（mó）式。

固定收費實質為氣體產品的（de）保底收費（fèi），為氣體公司盈利提供保障。以廣鋼氣體為例，2019年-2022年電子大宗現場（chǎng）製氣 項（xiàng）目收入中固定費用占比基本保持在45%左（zuǒ）右，2022年電子大宗現場製氣項目收入（rù）中，固定收（shōu）費占比為43.1%，變動氣費（fèi） 的占比（bǐ）為56.9%。

競爭要點：電子大宗對可靠性及穩定性要求（qiú）極高

電子（zǐ）大宗氣體是複雜的係統工程，需要專（zhuān）業穩定（dìng）的工程能力（lì）。電子大（dà）宗對可靠性及穩定性要求極高。電（diàn）子大宗占下遊客戶生產成（chéng）本不高，據廣鋼氣體（tǐ）公告，例（lì）如投（tóu）資一個晶圓廠百億 以上的投（tóu）入，對應配套的電子大宗項目投資成本（běn）占比可能僅為1%。但電子大宗對下遊（yóu）客（kè）戶（hù）的生產影響較大，“牽一發而 動全（quán）身”，若發生故障將導（dǎo）致（zhì）整條產線受到影（yǐng）響，故成功案例/成熟經驗團隊是入局的重要條件。

競爭（zhēng）格局：電子大宗項（xiàng）目壁壘高，格局高度集中

國（guó）內（nèi）電子大宗氣體市場（chǎng）格局集中。據廣鋼（gāng）氣體公司公 告，2018-2022年（nián）9月電子半導體領域新建現場製氣項目 中，三大外資企業和廣鋼氣體中標產（chǎn）能占比達93.1%。進入電子大宗賽道（dào）難度大。從廣鋼氣體公告（gào）的18-22M9 期間電子大宗項目招投標情況，可（kě）以發現目前仍存在 “僅邀請外資”、“要求一定項目運行年限（xiàn）”等苛刻條 件。本質原因還是在於電子大宗是複雜的工（gōng）程項目，在 專業性（xìng）要求極高的同時，對於下遊而言，置換、試錯成 本同（tóng）樣也很高。

以日本為鑒，看中國氣體市場的（de）機（jī）遇 和（hé）不同（tóng）

日本市場回顧（60-70s）：空分設（shè）備高（gāo）度國產化

日本氣體市場格局較為分散且同時存在較高（gāo）比例（lì）的自建供氣。60-70年代日本市場主要參與者為兩大龍頭——NS(Nippon Sanso)和Teisan(法液空於1910年創建的（de）日本子公司)+四個區域性（xìng）供應商——OS(Osaka Sanso)、TaS(Taiyo Sanso)、 DS(Daido Sanso)、ToS(Toyo Sanso)。由於（yú）氧氣和氮（dàn）氣（qì）市場中自建供氣比例較高，導（dǎo）致日本（běn）市場整體集中度（dù）較低。

空分設備快速發展並實現充分（fèn）國產化。60年代以（yǐ）前日本氣體企業仍嚴重依賴海外技術；到（dào）60年代初，NS獲得了（le）Linde技 術的獨家訪問權，日本空（kōng）分設（shè）備技（jì）術開始快速發（fā）展；至60年代後（hòu）期（qī），本土廠商幾乎完全占據了日本市場，日本空分（fèn）設備 實現高度國產化。

日本市場回顧（80-90s）：國（guó）際（jì）化過程中（zhōng）的攻與守

80年代前，日本空分設備高度國產化+自（zì）建（jiàn）供氣比例較高，阻礙了前期外國競爭者的進入。直至1980年，外國氣體公司 中僅有AL（法液空）控製的子公司Teisan在日本經營。我們認為或由於（yú）早在60年代，日本的（de）空分設備（bèi）就已實現（xiàn）高度國產 化，同（tóng）時自建供氣（qì）模式滿足了大部分（fèn）市場需求，外包供氣的市場空間不大，因而外國（guó）氣體公司未能大規模進入。攻方：80-90年代，BOC和AP以收購日本公司股權的方式進入日本市場。守方：日本企業通過合並以及（jí）強（qiáng）化競爭優勢（技術+服（fú）務（wù）模式）守住本土份額。日本公司通過國內（nèi）合並的方式擴張規模， 例如區域性生產商ToS和TaS合並，之後又與龍頭NS合並成大陽（yáng）日酸。此（cǐ）外，日本公（gōng）司在電（diàn）子特氣領域的競爭優勢（shì）（技術 領先+優質管理服務（wù））在（zài）一（yī）定程度上保護了其市場份額（é）。

以日本為鑒：用（yòng）技術+專（zhuān）業化服務構建α，國（guó）際化擴張是長遠發展的必要策略

產業鏈轉移的大β下，有（yǒu）望孕育出電子氣（qì）體巨頭公司。參考80年（nián）代第一次半導體產業（yè）轉移，日本供應（yīng）商在半導體（tǐ）專用氣（qì） 體方麵的全球（qiú）份額（é）已達到42%（80年代末），1986年（nián）NS在日本特種氣體市場（chǎng）份額達到（dào）50-60%，成為電子氣體巨頭。我 們認為日本電子特氣廠商在全球占據較高（gāo）份額，也主要由於通過技術+專（zhuān）業化服務構建α。

當β逐漸消退，國際化是增長的必要策略。在半導（dǎo）體產業即將二次轉移的背景下，NS在80年代與Teisan及其他日本特氣 生產商在泰國、台灣和韓國等地一起建（jiàn）造氣體工廠，國際化的擴張戰略開始實施。參考幾（jǐ）乎所有海外氣體龍頭的擴張之 路，常見的基本方式都（dōu）是（shì）以收並購為主，故NS也於80年代在美國、馬來西亞等地以收並購的形式進行國際化擴張。

大陽日酸不夠堅決的國際化收並購戰（zhàn）略致使全球份額下降。由於1）NS缺（quē）乏國際化經驗和合適的人員；2）NS自認為其資 本基礎和分銷（xiāo）網絡還不足以支持（chí）更大規模的收（shōu）並購擴張，所以NS與其他日本特氣廠商選擇（zé）了向海外售賣工藝包的模式擴 張（zhāng），因此在90年代（dài），不（bú）夠堅決的國際擴張戰略導致其全（quán）球工業氣體（tǐ）市場份額從1994年的（de）8%下降到2000年（nián）的6%。

中（zhōng）國機遇：有望成長出電子氣（qì）體巨頭

國內空分設備國產化率不斷（duàn）提高，至（zhì）2020年已達75%以上，與60年代的日本（běn）相似。目前國內在電子（zǐ）大宗、電（diàn）子特氣，都有一批具有潛力的公司，其中有望（wàng）成長出電子氣體巨頭。我們認為本土氣體公司發（fā） 展的突破口或在於（yú）1）乘產業轉移+光（guāng）伏新需求之風（fēng），以技術+服務塑造護（hù）城河；2）以收並購整合國內市場提高集中度， 並進一步向新興的海外市場擴張。

應（yīng）用環節工藝迭代，驅動電子氣體品 類升級（jí）需求（qiú）增長（zhǎng）

下遊側重工藝不同（tóng），故單品（pǐn）間景氣度有差異

電子特氣“需求跟隨工藝”帶來幾個特點：1）各工藝環節的技術路徑或隨著技術發展更新迭（dié）代，可能會導致對相（xiàng）應電子 特氣的品種選擇（zé）及用（yòng）量上發生改變；2）不同應用領域側重的工（gōng）藝環節不同，或導致不同電子特氣品類的下遊景氣有差異， 例如集成電路的設計重點（diǎn）多在電路製（zhì）程，光刻及刻蝕類氣體受（shòu）集成電路製程工藝（yì）迭代（dài）或者變化影響更為（wéi）顯（xiǎn）著，而光（guāng）伏重 點在（zài）於成膜後的光效率及使用壽命，故沉積用氣受光伏裝（zhuāng）機量高增或電池工藝路徑變更影響較為顯著。

沉積用氣（qì）：矽烷、超純氨、高純氧化亞氮、六氟化（huà）鎢等

沉積用（yòng）氣核心品種：矽烷、超純氨、高純（chún）氧化亞氮、六氟（fú）化鎢等。薄膜生（shēng）長是采用物理或化（huà）學方法使（shǐ）物質附著於襯底材料表麵的過程。根據工作原（yuán）理（lǐ）不同，可分為（wéi）物理氣相沉積、化學氣 相沉積以及外延沉積工藝。在半導體核心流程中，主要涉及到化學氣相沉積以及外延沉積工藝。化學氣相沉積（CVD）是（shì）多種氣體混合並發生化學反應最終（zhōng）將反應物沉積成膜的（de）過程，主要應用於（yú）光伏和麵板行業。例如， 在光伏領域，經化學氣相沉積生成減反射膜，達到表（biǎo）麵鈍化，增加光能利用率。外延沉積是在（zài）襯底生長出一層與原襯（chèn）底相同晶格取向（xiàng）的晶體外延層（céng），可用於減小襯底電阻、增強襯底隔離等。外延工藝 廣泛用於集成電路，形成芯片內部的微型器（qì）件單元，例如晶體管的存儲單元。根據生長方法可以將外延沉積工藝分為兩 大類：全外（wài）延和選擇性外延。外延沉澱用氣常為含矽氣體源：矽烷（wán），二氯矽烷和三氯矽烷；某些特殊外延工藝中還（hái）要用 到含鍺和（hé）碳的氣體鍺烷和甲基矽烷；選擇性外（wài）延工藝中還需要用到刻蝕性氣體氯化氫，反應中的載氣一般選用（yòng）氫氣。

超純氨：預計2026年國內需求16萬噸

應用廣（guǎng）泛，常與矽烷進行反（fǎn）應使用。超純氨（ān）常（cháng）作為氮源與矽烷 或其（qí）他矽（guī）化物反應，形成氮化矽或氮氧化矽薄膜（mó）。在集成電路 領域，主要通過CVD工藝沉積生長氮化矽介質（zhì）層，用作絕緣層、 保護層或活性薄膜；在新型顯示（shì）領域，主要用於生（shēng）成氮化矽和 氮氧化矽半導體膜；在光（guāng）伏（fú）領域，主（zhǔ）要通過 PECVD 工藝（yì）沉積 生長（zhǎng）氮化矽（guī）或氮氧化矽，形成減反射膜以提高太陽光吸收率。下遊泛半導體（tǐ）產業發展拉動市（shì）場擴（kuò）容。需求方麵，近年來（lái）集成 電路/顯示麵板（bǎn）/光伏/LED等產業的發展，不斷拉動對超純氨的 需求，據（jù）QYResearch數據（jù），2026年國內超純氨市場需求將達 到16.0萬噸；供給方麵，據（jù）科利德公司公告，截至（zhì）2023年10月， 國內可統計主要內資企業超純氨產能約6.9萬（wàn）噸，未來可統計產 能規劃高達7萬噸以上；價格方麵，受益光（guāng）伏景氣，國內超純 氨（ān）市（shì）場價從2021年初9000元/噸，上漲至2023年初（chū）最高20000 元/噸（dūn），目前價格回落至16000元/噸。

六氟化鎢（wū）：IC迭代拉動市場擴容，2025年或出現供應缺口

高純六氟化鎢用途（tú）廣泛，目前主要應用於大（dà）規模集成電路化學（xué）氣相沉積工藝，其沉積形成的鎢導體膜可用作通孔和接觸 孔的互連線，具（jù）有低（dī）電阻、高熔點（diǎn）的特點，純度一般需要達到5N；其次，通過混合金（jīn）屬的化學氣相沉積工藝製（zhì）得鎢和錸 的複合塗層，應用於太陽能吸收器以及X射線發射電極的製造；同時六氟化鎢也作為電子元器件（jiàn）原材料、聚合催化劑、氟 化劑及光學材料原料等。

集成電路工藝迭代拉動六氟化鎢（wū）市場擴容。據觀研天下，集成電路領域3D NAND層數從32層發展至64層（céng）和128層，六氟 化鎢（wū）用量快速增長，同時存儲芯片（piàn）廠商的產能也在快速拉升。據中船特氣公司公告，2022年國內的六氟化鎢需求量約為 1600噸，在使用量增加（jiā）和下遊產能擴張的（de）雙重因素驅動（dòng）下（xià），預計2025年國（guó）內六氟化鎢的（de）需求量將達到4500噸，2025年國 內供給端將達4030噸產能，或產生供需缺口約（yuē）470噸。

摻（chān）雜用氣：半導體及集成電路製造中的摻雜工藝原材料（liào）

常見摻雜氣包含乙硼烷（wán）、磷烷、砷烷、三氯化硼（péng）等。摻（chān）雜指的是將雜質摻入晶圓中的特定區域，從而改（gǎi）變半導體的導電性和導電類型，形成（chéng）PN結、電阻、歐姆接觸等。由於 矽片本身的載流（liú）子濃度很低，需要導電則需要有空穴或電子，因此引入III、V族元素，誘導出更多的空穴和電子，從而 形成P型半導體或者N型（xíng）半導體。擴散和離子注入是半導體摻雜的（de）兩種主要工藝。擴散是（shì）在合適的溫度和濃度梯度下，用III、V族（zú）元素占據矽原子位置。在一定溫度（dù）下使得雜質元素具有一定能量（liàng），能夠克服阻力進入矽片並在其中做緩慢的遷移運動。離子注入是在真空中將 摻雜用氣電離並加（jiā）速，通過較（jiào）大動能直（zhí）接注入到矽半導體中，也（yě）是目前應用最廣泛的主流摻雜工（gōng）藝。由於摻入（rù）的雜（zá）質不同（tóng），雜質半導體可（kě）以分（fèn）為N型和P型兩大類。N型半導體中摻入雜質為磷或其他五價元素，P型半導體中（zhōng） 摻入（rù）雜（zá）質為硼或其他三價元素。在P型區，主要離子注入元素為硼（péng）、銦，氣體主要為三氟（fú）化硼、乙硼烷（wán）、磷化銦等；在N 型（xíng）區，主要離子注入元素（sù）為砷、磷等，氣體主（zhǔ）要為砷化氫、磷化氫等。